Os capacitores de filme fino YMIN complementam perfeitamente o CoolSiC™ MOSFET G2 da Infineon
A nova geração de carboneto de silício CoolSiC™ MOSFET G2 da Infineon é líder em inovações em gerenciamento de energia. Os capacitores de filme fino YMIN, com seu design de baixo ESR, alta tensão nominal, baixa corrente de fuga, alta estabilidade de temperatura e alta densidade de capacidade, fornecem forte suporte para este produto, auxiliando na obtenção de alta eficiência, alto desempenho e alta confiabilidade, tornando-o uma nova solução para conversão de energia em dispositivos eletrônicos.
Recursos e vantagens do YMINCapacitores de filme fino
VHS baixa:
O design de baixo ESR dos capacitores de filme fino YMIN lida com eficácia com ruídos de alta frequência em fontes de alimentação, complementando as baixas perdas de comutação do CoolSiC™ MOSFET G2.
Alta tensão nominal e baixo vazamento:
As características de alta tensão nominal e baixa corrente de fuga dos capacitores de filme fino YMIN melhoram a estabilidade em altas temperaturas do CoolSiC™ MOSFET G2, fornecendo suporte robusto para a estabilidade do sistema em ambientes adversos.
Estabilidade de alta temperatura:
A estabilidade em altas temperaturas dos capacitores de filme fino YMIN, combinada com o gerenciamento térmico superior do CoolSiC™ MOSFET G2, aumenta ainda mais a confiabilidade e a estabilidade do sistema.
Densidade de alta capacidade:
A alta densidade de capacidade dos capacitores de película fina oferece maior flexibilidade e utilização de espaço no projeto do sistema.
Conclusão
Os capacitores de filme fino YMIN, como parceiros ideais para o CoolSiC™ MOSFET G2 da Infineon, apresentam grande potencial. A combinação dos dois melhora a confiabilidade e o desempenho do sistema, proporcionando melhor suporte para dispositivos eletrônicos.
Horário da postagem: 27 de maio de 2024