Os capacitores de filme fino YMIN complementam perfeitamente o CoolSiC™ MOSFET G2 da Infineon
O MOSFET G2 de carboneto de silício CoolSiC™ de nova geração da Infineon é líder em inovações em gerenciamento de energia. Os capacitores de filme fino YMIN, com seu design de baixa ESR, alta tensão nominal, baixa corrente de fuga, alta estabilidade térmica e alta densidade de capacidade, oferecem um forte suporte a este produto, auxiliando na obtenção de alta eficiência, alto desempenho e alta confiabilidade, tornando-o uma nova solução para conversão de energia em dispositivos eletrônicos.
Características e vantagens do YMINCapacitores de película fina
Baixo ESR:
O design de baixa ESR dos capacitores de película fina YMIN lida efetivamente com ruído de alta frequência em fontes de alimentação, complementando as baixas perdas de comutação do CoolSiC™ MOSFET G2.
Alta tensão nominal e baixo vazamento:
As características de alta tensão nominal e baixa corrente de fuga dos capacitores de película fina YMIN aumentam a estabilidade em altas temperaturas do CoolSiC™ MOSFET G2, fornecendo suporte robusto para estabilidade do sistema em ambientes adversos.
Estabilidade em altas temperaturas:
A alta estabilidade de temperatura dos capacitores de película fina YMIN, combinada com o gerenciamento térmico superior do CoolSiC™ MOSFET G2, aumenta ainda mais a confiabilidade e a estabilidade do sistema.
Alta densidade de capacidade:
A alta densidade de capacidade dos capacitores de película fina oferece maior flexibilidade e utilização de espaço no projeto do sistema.
Conclusão
Os capacitores de película fina YMIN, como parceiros ideais para o CoolSiC™ MOSFET G2 da Infineon, apresentam grande potencial. A combinação dos dois melhora a confiabilidade e o desempenho do sistema, proporcionando melhor suporte para dispositivos eletrônicos.
Horário de publicação: 27 de maio de 2024